BSC200P03LS G參數(shù)：MOSFET P-CH 30V 12.5A TDSON-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：12.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：20毫歐@12.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.2V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：48.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2430pF@15V功率-最大值：2.5W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
